室温工作的单电子晶体管研究

由于具有低功耗、高速度、高集成度等优点,单电子晶体管成为最有前景的纳米电子功能器件之一.但是,由于结构上的特殊性,单电子晶体管只能在低温下正常工作,该特性限制了其实用化进程.因此,研究可在室温下工作的单电子晶体管具有重要意义.在分析单电子晶体管工作机理的基础上,计算了单电子晶体管室温工作的基本条件,并实验制备出了样片.测试结果表明,所制备的单电子晶体管可在室温下表现出库仑振荡等基本特性.该研究成果将为单电子晶体管的集成实用化打下良好的基础.     

流体系结构技术发展探讨

以流计算模型为基础的流体系结构,是面向未来的单片上集成超10亿只晶体管和上千ALU时代的新型体系结构,正成为微处理器体系结构研究关注的前沿焦点之一.首先分析流计算的背景;总结现有的具有代表性的流体系结构,并对它们的结构、执行模式、并行性、片上存储使用方式和应用目标等方面进行了比较;然后归纳流程序设计及其环境,讨论当前流编译研究的热点方向;最后探讨流处理器设计的发展趋势.     

Cache漏流功耗的自适应优化:动态容量调整

当集成电路制造工艺水平发展到超深亚微米阶段,漏流功耗所占的比例越来越大,成为微处理器功耗的重要来源.漏流功耗同电压、漏电流和晶体管数量等因素密切相关.Cache是微处理器中面积较大的部件,对其漏流功耗进行优化是微处理器低功耗设计的首要任务.除了采取工艺上的改进措施外,cache漏流功耗可以通过把握或改变cache的工作...     

室温下单电子晶体管3种临界尺寸的确定

为使单电子晶体管达到实际应用的地步,开展室温条件下相关研究成为必然。从正统理论出发,推导、计算出室温条件下单电子晶体管能否正常工作的库仑岛临界尺寸:存储器件为6.5nm,逻辑器件为1.5nm;本文还推导和计算出单电子晶体管室温下发生能量量子化效应的临界尺寸:4.7nm,并对这3种临界尺寸进行了验证和分析。另外,通过比较分析本文还得出了室温条件下,所有逻辑器件均必须考虑能量量子化效应,所有存储器件应尽量考虑能量量子化效应的结论。分析结果表明,库仑岛临界尺寸的确定对单电子晶体管的实际应用具有重要意义。     

微波功率晶体管管内匹配网络设计

本设计的目的是建立一个用于宽带固态放大器的宽带微波功率晶体管。本文包括:1) 设计思想;2) 内匹配电路衰减的计算;3) 输入、输出阻抗匹配网络的计算机辅助设计。     

微波脉冲对硅基双极型晶体管的损伤特性

利用微波脉冲注入实验平台,对硅基双极型晶体管低噪声放大器进行了损伤效应实验。在微波脉冲对硅基双极型晶体管低噪声放大器损伤的失效分析中,当低噪声放大器增益下降大于10d B时,发现硅基双极型晶体管出现了永久损伤。通过对比测量硅基双极型晶体管损伤前后的电特性以及利用扫描电子显微镜观测损伤后晶体管的微观特性发现:硅基双极型晶体管被微波脉冲损伤后,基区的硅材料烧蚀导致发射结和集电结短路,不再具有PN结特性,导致器件失效。     

微波脉冲对硅基双极型晶体管的损伤特性（高功率微波技术研究所专题组稿）

利用微波脉冲注入实验平台,对硅基双极型晶体管低噪声放大器进行了损伤效应实验。在微波脉冲对硅基双极型晶体管低噪声放大器损伤的失效分析中,当低噪声放大器增益下降大于10 dB时,发现硅基双极型晶体管出现了永久损伤。通过对比测量硅基双极型晶体管损伤前后的电特性以及利用扫描电子显微镜（SEM）观测损伤后晶体管的微观特性,结果表明：硅基双极型晶体管被微波脉冲损伤后,基区的硅材料烧蚀导致发射结和集电结短路,不再具有PN结特性,导致器件失效。     

交叉结构纳兴计算机

半个多世纪以来,在1个硅芯片上置放的晶体管数量从1个增长到近10亿个,极大地增强了数字设备执行逻辑操作和存储数据的能力,也充分证明了摩尔定律的科学性。在下一个15年,硅集成电路上晶体管的最小尺度将缩短到纳米级。科学研究表明．当集成电路晶体管尺寸缩小到0．1微米(100纳米)以下后,原有的计算工作原理将不复存在,需要用另外的机制来实现。世界各国正在探索各种方案,美国 HP 实验室研制的“交叉结构”(Crossbar)纳米器件就是其中较有前景的。Crossbar 也有称为 Crossbar Latch 或 Crossbar switch, 有“交叉开关”、“横杆门闩电路”、“交叉结构闭锁”等多种中文译法。     

差分放大器的误差分析

在差分放大电路中 ,电路的偏置电阻、晶体管 (BJT)的参数、信号源的内阻、工作温度都会引起输出的误差 .通过对典型电路的分析 ,得出了误差计算公式 ,分析了减小误差的方法     

微结构对半导体制造业的冲击

今年6月,Intel公司的研究人员宣布他们已经制造出只有20纳米(大约相当于1个原子的4倍宽)线宽结构的晶体管,它可用于微处理器和其他逻辑芯片。 如此精细的结构可能给半导体制造业带来巨大的冲击,由此制成的微处理器能含有10亿个晶体管,能以近200亿赫兹的速度运行,工作电压小于1伏。目前最好的Pentium 4芯片含有4200万个晶体管,以17亿赫兹的速度运行。     

电化学微传感器

阐明了电化学微传感器的特性,对化学电阻微传感器和电势计微传感器这两类电化学传感器分别进行了论证;分析了离子敏场效应晶体管化学传感器和功函数电势计传感器的机理和特性,指出了电化学微传感器应用方向.阐述了利用有机半导体的光刻工艺及其可调谐选择性生产电势计气体传感器的方法,为电势计气体传感器的广阔应用提供了保证.     

新型半导体硅片

一种新的硅片称为灵敏电力集成电路。它在硅片上既能起电脑的作用,又具有负荷电力的能力,这种能力过去是由很多的晶体管以及其他部件(如闸流管、电容器和齐纳二级管)提供的。而微型灵敏电力硅片将取代所有这些累赘的附件,使电动机和电灯等产品的设计和运行的功效     

小功率伺服放大器功率扩展后的应用

一、问题的提法小功率随动系统在指挥仪中得到了普遍的应用。随着对其品质指标要求的提高,需要研制出一个性能好、品质指标高的伺服放大器已成为一个关键问题。我们在研制电子管放大器、磁放大器、可控硅放大器以及晶体管放大器的过程中,积累了丰富的经验,掌握了大量的实验数据。在以上几种放大器中,应用最普遍的是10瓦交流小功率晶体管伺服放大器。它的各项品质指标都较其他放大器为优。用它来推动φ36机座交流伺服电机,获得了较好     

基于加速寿命试验的晶体管静电放电潜在性失效的研究

对高频小功率硅双极结型晶体管2SC3356进行静电放电试验,并利用加速寿命试验原理对两组器件进行加速寿命试验。采用Arrhenius模型对试验结果进行计算分析,发现低于损伤阈值的ESD注入可以使器件的寿命缩短,得出ESD可以在高频小功率硅双极结型晶体管内部造成潜在性失效,使得器件寿命缩短。     

晶体管对数放大器原理及某些实际电路

对数放大器已广泛使用在雷达接收机中,用来扩大接收机的动态范围及作为瞬时自动增益控制电路,在单脉冲雷达接收机中采用对数相减可用于跟踪多目标,在一般非单脉冲体制雷达中加上双讯道对数相减电路可以用来跟踪干扰源等。下面介绍晶体管对数     

有源三阶低通滤波器

通常使用有源滤波器用来弥补简单的无源LC滤波器的缺陷。下面所给出的有源滤波器,是采用最少的元件,使用一种电源,就可提供具有各种希望特性的低通滤波器(如巴特伍兹特性、古比雪夫特性、贝塞尔特性等)。图(1)所示的电路是本文所要设计的有源滤波的一种形式,它的特点之一是采用二个晶体管BG_1和BG_2构成简单的放大器,可以代替一个运算放大器,使线路简单,成本     

陀螺放大器小型化的设计

在ΓP—2A型陀螺测速系统中原采用电子管相敏放大器。本文介绍一种已获实际应用的晶体管相敏放大整流电路。原电子管放大器采用串联校正电路,反峰电压很高,不宜在耐压较低的晶体管电路中采用。本文提出本地并联正反馈的方案,解决了上述的矛盾,满足了战术要求而且能在-30℃—— 50℃范围內正常工作。     

L波段微波集成低噪声晶体管放大器

介绍一个低噪声晶体管放大器的实验设计和制做。增盆为18db。噪声系数为5db。     

国外程控交换机发展概貌

二十世纪五十年代,随着晶体管的出现和计算机的发明,世界上掀起了研制没有机械动作接点的电话交换机的热潮。美、英、日、法、德、瑞典等国数十家公司投入研究,十多年研制出几十个型号的试验样机。首先得到推广应用的是美国贝尔公司花费1.25亿美元研制成的ESS1型计算机程序控制准电子交换机,容量是1万门到6万门,市内长途通用,1965年投入运行。因为性能优越备受欢迎,到1974年就累计建立了470个FSS1型电话局。     

自适应环节在装甲车炮控系统上的应用

某装甲车炮控系统采用模型参考自适应控制的大功率晶体管直流脉冲宽度调制系统.采用速度负反馈和电流负反馈的双环负反馈系统,外包一个自适应控制环.采用自适应控制环,降低系统对内部参数的变化和外部扰动的敏感性,因而大大提高系统低速运行的刚度,使火炮具有优良的低速瞄准性能.着重研究增加自适应控制环后对炮塔电力传动系统的动态影响.