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91.
针对热-电场耦合仿真计算中非匹配网格之间的数据插值问题,提出了一种基于紧支径向基函数点插值的数据传递方法。推导了数据传递矩阵,根据所提出的数据传递方法编制了非匹配网格之间数据传递计算程序,以若干组非匹配网格之间的温度插值为例进行了验证,并分析了不同参数对计算时间及精度的影响,结果表明,算法效率较高,计算误差较小,适用于以热-电场耦合为代表的固体域耦合非匹配网格间的数据传递计算。  相似文献   
92.
93.
永磁无刷直流电机具有效率高、易维护等特点,目前广泛应用于电动汽车、航空、船舶等行业。由于该种电机存在着转矩波动大等不足,为提升其控制性能,从控制平台改进与控制算法优化两个方向开展研究。首先,研究并设计了基于ARM+FPGA的电机控制硬件平台,使用AXI高速数据交互协议,解决了传统电机控制平台中延时较大、算法能力有限的问题;然后,使用基于径向基神经网络的磁场定向控制智能算法实现了对电机的精确控制;最后,通过仿真和实验与磁场定向控制方案进行了对比,结果表明:采用基于ARM+FPGA的永磁无刷直流电机控制智能方法,其调节时间平均缩短了3.22 ms,超调量平均降低了4.35%,提高了BLDC控制精度和运行性能。  相似文献   
94.
侧链含锑聚硅烷的合成与性能研究   总被引:2,自引:1,他引:1       下载免费PDF全文
侧链含锑聚硅烷的合成可通过聚甲基硅烷的高分子反应在室温条件下实现,聚合物产率为75.2%,数均分子量为1600.其分子结构与组成可由元素分析、FT-IR、1H-NMR、29Si CP/MAS NMR、GPC和UV来确认.PSA可溶于一般常见的有机溶剂,紫外吸收的最大波长为330nm,其热分解特性表明,陶瓷收率为80%,可用作SiC陶瓷先驱体;其本体电导率为10-8~10-7S/cm,将其与碘掺杂,电导率可以达到10-5S/cm以上.  相似文献   
95.
为了同时达到高性能和灵活性的目标,提出了一种基于FPGA的参数化多标准自适应基4 Viterbi译码器。译码器采用3-9可变约束长度,1/2、1/3可变码率,支持任意截断长度的纠错译码,并采用了码字无符号量化、加比选单元设计优化和归一化判断逻辑分离策略优化了关键路径设计,提高了译码器工作频率。实验结果表明,该译码器能根据用户设定的参数改变结构,在多种通信标准之间实现动态切换;性能达到了541Mbps,明显优于相关工作;对GPRS、WiMAX、LTE、CDMA、3G等通信标准都取得了良好的误码性能,可满足多种通信标准的译码需求。  相似文献   
96.
为了同时达到高性能和灵活性的目标,提出一种基于现场可编程门阵列的参数化多标准自适应基4 Viterbi译码器。译码器采用3~9可变约束长度,1/2、1/3可变码率,支持任意截断长度的纠错译码,并采用码字无符号量化、加比选单元设计优化和归一化判断逻辑分离策略优化关键路径设计,提高译码器工作频率。实验结果表明,该译码器能根据用户设定的参数改变结构,在多种通信标准之间实现动态切换;性能达到了541 Mbps,明显优于相关工作;对GPRS,Wi MAX,LTE,CDMA,3G等通信标准都取得了良好的误码性能,可满足多种通信标准的译码需求。  相似文献   
97.
在解决闭环消磁绕组电流优化计算问题时,会面临将外部磁场推算误差带入电流反演计算或完备的基函数难以确定等问题。为了降低这些因素对舰船最终补偿效果的影响,从智能优化的角度出发,在讨论散布常数对模型预测误差的影响后,确定了适宜的散布常数,建立了内部磁场与补偿电流之间的径向基函数神经网络预报模型。该方法通过样本对网络进行训练,无须推算内外磁场,就能直接得到使绕组磁场与目标磁场拟合误差最小的补偿电流向量。对比其他数值建模方法,其换算精度有所提高,且选择不同的同维向量作为基函数对补偿结果影响较小。船模实验验证了该方法的有效性。  相似文献   
98.
改进的光滑粒子方法在模拟激光对树脂基复合材料的辐照效应时具有明显优势,但串行计算通常难以满足需求。为了提高程序的运行效率,基于消息传递界面并行编程环境实现了串行程序的并行化。将个人电脑完成的串行计算结果与峰值5万亿次的计算机集群完成的并行计算结果进行了比较,并对并行程序的加速比和并行效率进行了测试。数值计算表明,并行计算结果与串行计算结果一致,且并行效果显著,说明基于消息传递界面的并行化是成功的。  相似文献   
99.
在祖国新疆最西部、与哈萨克斯坦接壤的阿拉套山深处,有个叫卡昝河的地方,是农五师八十八团的夏草场,这里的牧民一边放牧,一边担当起守卫边防的义务。  相似文献   
100.
以聚硅氧烷为先驱体,采用先驱体转化法制备了SiCf/S i-O-C陶瓷复合材料.研究了惰性填料(SiC、SiO2及SiO2空心微珠)对材料的力学性能及热性能的影响.微观结构的分析表明,填料引起的界面结构与密度的变化是影响SiCf /Si-O-C复合材料性能的主要原因.  相似文献   
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