静电放电辐射场的实验研究

对人体 -金属ESD模型和家具ESD模型进行了讨论 ,介绍了其放电电流波形的主要特点及影响它们的主要因素。利用单极子天线和数字存储示波器对静电放电产生的电磁脉冲辐射场进行了实验研究。实验表明 ,ESD的辐射场在距离放电源几米以内是很短的窄脉冲 ,其脉冲持续时间约为几百ns,但其场强很大 ,典型可达几kV/m (在 1 8cm处 ) ,一般在约几百V/m (在 1 5m以内 ) ,共频谱主要分布在几十到几百MHz,频谱上限可以达到几个GHz.     

用于静电放电EMP实验的三模冗余技术

通过对TMR(Trip le Modu lar Redundancy)容错技术的分析和研究,介绍了一种基于FPGA芯片的TMR整体“硬化”技术,并分别对采用了TMR技术的电机容错控制系统和未采用TMR技术的一般电机控制系统进行了ESD EMP的辐照效应实验,得出TMR技术可有效增强控制系统抗ESD EMP能力的结论。     

ESD EMP能量耦合线性化建模

针对利用非线性建模方法研究静电放电电磁脉冲(Electro Static Discharge Electro Magnetic Pulse,ESD EMP)能量耦合存在计算复杂、模型收敛性能较差的问题,基于ESD辐照实验提出了一种非线性系统线性化建模方法。该方法是将系统响应与激励间的非线性关系转化为线性关系后,利用带遗忘因子的递推最小二乘法进行线性回归来建立模型。首先利用3.5 k V ESD实验数据进行建模,然后应用3.5 kV、4.5 kV ESD实验数据进行模型验证,2种情况下的拟合度均达到94.303 3%。结果表明:线性化建模能有效降低建模难度,且模型精度较高,为ESD能量耦合研究提供了一种简便有效的建模方法。     

GPS-OEM板静电放电效应实验研究

研究了静电放电 (ESD)对GPS -OEM板性能的影响。以ESS - 2 0 0AX静电放电模拟器为静电源 ,采用人体 -金属模型对GPS -OEM板进行了静电放电效应实验。实验表明 ,ESD不会对GPS -OEM板造成硬损伤 ,但可以干扰其输出的秒脉冲 (PPS)信号 ,严重影响其定时和定位性能。     

静电放电对微机接口电路干扰效应研究

为研究静电放电(ESD)对微机接口电路的干扰效应,设计了一种单片机系统串行数据传输电路试验模型。利用静电放电模拟器对自行设计的单片机系统进行了效应试验,并对测得的试验数据进行了分析,得出了这类典型串口通讯在静电放电环境下的一些规律。     

FPGA静电电磁脉冲辐照效应试验研究

根据国际电工委员会IEC61000-4-2标准,利用ESS-200AX型ESD模拟器,选用人体-金属模型,测试静电电磁脉冲(ESD EMP)对FPGA的影响,并针对试验结果对故障原因进行分析。试验结果表明:FPGA集成电路抗静电电磁脉冲能力较强,当在FPGA集成电路周围的静电放电电压达到13 kV时,静电电磁脉冲将破坏SRAM的查找表中的数据,致使FPGA功能性损坏,但重新加电可恢复正常。     

ESD与方波脉冲对集成电路注入损伤的比较研究

采用方波脉冲和ESD脉冲对3种集成电路进行了注入损伤效应实验,目的是比较二者对器件损伤的异同之处。分析时,首先对实验数据作拟合分析,建立起相关的数学模型,然后将模型值和实际值进行比较。可得到结论:实验器件有高压强场致PN结击穿和热效应2种损伤模式。对同一种器件,2种注入方式下的损伤模式相同或类似。方波注入下,各损伤阈值参数可拟合为1个式子来描述它们之间的关系,ESD注入下则还不确定;对同一器件,不同注入方式下的阈值不同,目前结果表明相差2~3倍。     

集成电路ESD注入损伤效应及注入电压与能量间的关系

利用静电放电(ESD)模拟器对集成电路芯片进行电压注入损伤效应实验,通过存贮示波器记录的波形进行乘法和积分运算,得到对应注入电压下芯片上吸收的平均峰值功率和能量。对放电电压与平均峰值能量作散点图,采用曲线拟合的方法对离散点进行拟合,针对该曲线拟合的方法进行了分析,最终建立了ESD注入电压与平均峰值能量之间的数学模型。     

一种用于ESD测试的PLC单轴运动控制台研究

研制了一种以可编程控制器 (PLC) 作为控制单元的单轴控制台。这种单轴控制台有效控制了静电放电(ESD) 模拟器空气放电电极的运动状态, 为ESD测试实验提供了一种新的手段, 并与手持放电方式进行了实验比较。     

接近速度和相对湿度对静电放电强度的影响

静电放电（ESD）会对电子设备和系统造成严重干扰,但是在相同的放电电压下,ESD强度却会发生很大的变化。这种变化与电极接近速度、相对湿度和电弧长度等因素有关。为提高ESD实验结果的重复性,通过理论分析和实验研究了电极接近速度和相对湿度对ESD强度的影响。理论计算了两接近导体之间的自（互）电容系数、导体电势差、导体电势差随放电间隙和时间的变化率;实验研究了ESD强度（比如放电电流峰值、上升时间）随接近速度和相对湿度的变化关系。研究得出,接近速度直接决定了导体电势差随时间的变化率,同时对ESD强度产生明显影响;相对湿度会对ESD强度产生很大的影响。     

静电放电及其抗扰度试验的研究现状与发展趋势

在综述ESD测试和抗扰度试验研究状况基础上,指出该研究领域当前需要进一步研究的问题和发展方向。静电放电的深入研究对现代电子设备(系统)的快速发展具有十分重要的意义。     

引信电子部件ESD效应和加固实验研究

利用静电放电模拟器对某电子时间引信的电子部件的损伤及其防护加固进行了实验研究。引信部件在ESD的作用下,储存的信息会改变;当ESD的电压进一步升高时,引信中的电子部件出现损坏,其损伤阈值为＋200V．采取加固措施后,系统抗ESD的电压提高了2～3倍,达到了预期的目的。     

静电放电抗扰度试验方法存在的问题及相关研究

综述静电放电（ESD）抗扰度试验方法中存在的问题，从静电放电电流的数学描述、静电放电电磁辐射场模型、静电放电与电子设备之间的能量耦合规律及静电放电抗扰度试验4个方面对这些问题的研究状况进行了描述。在此基础上，提出一些解决或改善这些问题的建议和方法以及下一步研究方向。     

ESD对微电子器件造成潜在性失效的研究综述

静电放电(ESD)潜在性失效问题是当前微电子工业面临的可靠性问题之一,并且越来越引起人们的重视。国内外学者在微电子器件ESD潜在性失效的检测及探讨失效机理方面的研究取得了较大的进展。研究表明:MOS电路等微电子器件,在ESD作用下确实存在潜在性失效问题。因此,开展ESD潜在性失效研究具有重要意义。     

静电放电模拟器辐照效应实验研究

对模拟器ESS - 2 0 0AX与NSG435的静电放电 (ESD)电流波形及其辐照效应实验进行了研究。实验结果表明 ,虽然两模拟器的放电电流波形均符合国际电工委员会IEC6 10 0 0 - 4- 2静电放电抗扰度实验标准 ,但进行辐照效应实验时 ,二者的测试结果并不一致。这主要是因为IEC标准只规定了放电电流的波形 ,而对模拟器放电枪的结构和外形未做出规定 ,使静电放电电磁场尤其是近区电磁场存在差异。要解决不同模拟器间测量结果的不一致性 ,IEC的相关标准除了规定放电电流的波形外 ,还应对放电电流的导数波形和相关的电磁场做出规定 ,尽量对放电枪的形状和结构给出统一的标准。     

静电放电模拟器电流波形校验装置研究

研制了符合国际电工委员会IEC61000－4－2标准的ESD模拟器电流校验系统。该系统能自动采集ESD电流波形,计算上升时间、峰值电流、30ns时电流。60ns时电流等参数。该系统已用于我国静电计量测试站对静电放电电流波形的校验工作。